该半导体器件制造技巧厂核心种植8厘米晶圆，种植进程中引起多重高氧化还原电位光学废水解决，包括组成成分繁杂、毒副作用大、难生物降解等特殊性。原本有解决系統对氟化物和有机会影响物快速清理作用不佳，需参与技巧更新。 废水处理工艺物质及渠道 集成电路芯片刻蚀废渣：含高氧浓度氟化物(200-800mg/L)、聚磷酸盐 CMP研磨机机生活污水：含纳米级级硅粉、铜粉及有机的研磨机机剂 光刻胶废污水：含光刻胶残渣物、定影液等高氧化还原电位巧妙弄脏物(COD可达到10000mg/L以下) 擦洗废水处理工艺：含异丙醇、甲苯等有机的高沸点溶剂 治理方法流程图 用到"分质加工+高等 钝化+生物制品武器锻造"的技术创新艺路线图： 分质处理平台 ： 氟化物废水处理：进行有级药剂学积累法，先加药氯化钙造成氟化钙积累，再可以通过铝盐混疑突破删去 CMP废渣：水泥混凝土沉淀物中+工业陶瓷膜过滤装置组合起来工艺设计清除纳米技术科粒 高酸度巧妙废水处理工艺：一个人提取后进行专业氧化物特征提取 中高级氧化物象限 ： 什么是臭氧的危害离子液体钝化：使用专门的离子液体剂，提升 什么是臭氧的危害合理回收利用率 电化学分析物质空气氧化：争对难分解物质物通过深度的加工 菌物加工模式 ： 符合式活性污泥作用器：快速降解塑料大原子核有机的物 好氧联通床生物工程膜反应迟钝器(MBBR)：抗冲击试验强度力量强 微生物几丁质酶炭滤池：进步祛除微量分析破坏物 高度静化单园 ： 超滤膜+反侵入双膜设计：狠抓出液做到高净水使用规范要求 化合物交易系统软件：除去稳定度化合物 后面结果 软件系统稳定性高运转后，每一项完成指标远低于制定规格： 氟化物<5mg/L(剔除率>99%) COD<30mg/L(清除率>99.5%) 总铜<0.1mg/L 冒水热敏电阻率>15MΩ·cm(足够产生新工艺中水回用条件) 工程项目变现了75%的污水中水回用率，年变低污水释缩量上涨约30万吨，高档氧化反应单位的能效比比过去技艺变低30%，行驶成本费显著性的降低。